晶体二极管导通的条件及非导通的原因

晶体二极管是一种具有p-n结结构的半导体器件，被广泛应用于各种电子设备和系统中。晶体二极管导通的条件及非导通的原因包括：

1. 导通条件：

晶体二极管的导通条件取决于p-n结的物理结构。当p-n结的p区杂质浓度较低、发射结深度较浅时，晶体二极管处于正向偏置，即p区为高电势区，n区为低电势区，此时二极管会导通。当p-n结的p区杂质浓度较高、发射结深度较深时，晶体二极管处于反向偏置，即p区为低电势区，n区为高电势区，此时二极管会截止。

2. 非导通原因：

晶体二极管的非导通原因包括：

(1)正向偏置：当p-n结的p区杂质浓度较低、发射结深度较浅时，晶体二极管处于正向偏置，此时p-n结的n区存在反向偏置电场，二极管会受到反向电场的作用，导致电流无法通过。

(2)反向偏置：当p-n结的p区杂质浓度较高、发射结深度较深时，晶体二极管处于反向偏置，此时p-n结的n区存在正向偏置电场，二极管会受到正向电场的作用，导致电流无法通过。

(3)正向电流过大：当p-n结的p区杂质浓度较低、发射结深度较浅时，晶体二极管的正向电流可能会超过其最大正向电流，导致二极管的非导通。

(4)反向电流过大：当p-n结的p区杂质浓度较高、发射结深度较深时，晶体二极管的反向电流可能会超过其最大反向电流，导致二极管的非导通。

综上所述，晶体二极管的导通条件及非导通原因包括正向偏置和非导通

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